需要注意的是，充电机器学习的范围非常庞大，有些算法很难明确归类到某一类。
磨剑3.测量了CsFAMAPbI3中化学计量数（stoichiometry）对电流增强效应的影响。图6.器件循环后，充电接触电极界面处（横向）的形貌和EDXmapping，以及机理归纳。
磨剑图7.目录导览:Au+的迁移掺杂导致钙钛矿FET器件的电流增强效应。充电图3.钙钛矿化学计量数（PbI2-to-CsFAMAIratio）对金电极器件和铬电极器件中电流增强和衰减现象的影响。磨剑图4.不同PbI2-to-CsFAMAIratio成分钙钛矿的XRD和SEM形貌。
充电铅基(APbX3)钙钛矿的偏压稳定性仍无法与常用有机晶体管相媲美。 三、磨剑【核心创新点】1.观测到源-漏极(S-D)横向偏压下，磨剑金电极钙钛矿FET器件的开态电流(on-statecurrent)和迁移率会随着转移曲线测试循环次数的增加而不断升高的现象，命名为电流增强效应(currentbuild-upeffect)。
该工作聚焦n-型三元阳离子碘化铅钙钛矿(CsFAMAPbI3)场效应管中电荷输运的非理想特性，充电在器件层面直接观测到偏压下接触金属电极原子的电化学迁移现象，充电这种迁移导致了器件的n-型掺杂和不断升高的电流和迁移率。
磨剑图2.不同功函数的电极器件中的电流增强和衰减现象二、充电【成果掠影】天津大学刘永长教授团队创新性地采用偏析工程技术，充电在凝固后期引入连续均匀的枝晶间液膜，消除了激光增材制造过程中的热裂现象。
到目前为止，磨剑只有有限的镍基高温合金，如Hastelloy-X,CM247LC(Hf-free)，和IN738LC通过减少偏析成分的含量实现了热裂缓解。激光增材制造的微观组织的界面(胞/晶界)比传统的铸造和焊接方法高2-3个数量级，充电有效地分散了元素偏析引起的液膜。
经过后续热处理，磨剑金属间化合物的溶解Ni11Zr9减少了大尺寸M6C的析出，减少了胞界和晶界MC的析出，因此Zr改性Haynes230合金表现出非凡的强度和塑性组合。(a)打印样品中Ni11Zr9界面处堆积的位错，充电(b)ZrC颗粒周围堆积的位错，(c)打印样品胞间/晶内撕裂断裂特征，(d)热处理后样品的韧窝断裂特征。
